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薄膜压电超声换能器包括具有硅杯结构的硅基片,位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电换能单元;其特征在于,产品的硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层,该选择性掺杂层上具有N个与产品的压电换能单元相对应的通孔。与现有技术相比,本产品能否达到以下技术效果:本产品可以用常规的体硅刻蚀工艺实现密排阵元的薄膜压电换能器阵列,该阵列的阵元间距不受阵元间侧墙厚度及倾角的限制,可根据阵列设计需要任意调整。
超声换能器包括:与一压缩装置连接的安装装置安装在产品的安装装置和产品的压缩装置之间的晶堆和设置在产品的晶堆与产品的压缩装置之间的后质量块;其特征在于:产品的晶堆接触端面和产品的压缩装置接触端面均为平面且形状大小相同;产品的压缩装置具有与产品的后质量块接触的后质量块接触面产品的后质量块接触面相对于产品的压缩装置接触端面的几何中心是中心对称的产品的后质量块接触面的面积小于产品的压缩装置接触端面的面积。本产品通过改进后质量块的对称性改善超声换能器中应力分布的均匀性从而提高超声换能器的效率。
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